产品单价 |
1.00元/个 |
起订量 |
1个 |
供货总量 |
10000 个 |
发货期限 |
自买家付款之日起1天内发货 |
品牌 |
英飞凌 |
品质 |
原装 |
BSM150GB120DN2
BSM150GB120DN2
BSM150GB120DN2
BSM150GB120DN2
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BSM150GB120DN2
BSM150GB120DN2
BSM150GB120DN2
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集电极—发射电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 210 A
栅极—射极漏泄电流: 320 nA
Pd-功率耗散: 1.25 kW
封装 / 箱体: Half Bridge2
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 30 mm
长度: 106.4 mm
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射电压: 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集电极—发射电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 210 A
栅极—射极漏泄电流: 320 nA
Pd-功率耗散: 1.25 kW
封装 / 箱体: Half Bridge2
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 30 mm
长度: 106.4 mm
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射电压: 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
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