产品单价 |
1.00元/个 |
起订量 |
1个 |
供货总量 |
100000 个 |
发货期限 |
自买家付款之日起1天内发货 |
品牌 |
英飞凌 |
品质 |
原装 |
F3L100R07W2E3
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F3L100R07W2E3
F3L100R07W2E3
F3L100R07W2E3中文资料
功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual 集电极—发射电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极
—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
F3L100R07W2E3_B11
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F3L100R07W2E3_B11
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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
CNHTS: 8541290000
HTS代码: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
零件号别名: F3L100R07W2E3
F3L100R07W2E3中文资料
功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual 集电极—发射电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极
—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
F3L100R07W2E3_B11
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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
CNHTS: 8541290000
HTS代码: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
零件号别名: F3L100R07W2E3
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